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半导体所研制出GaN基紫外激光器广东快乐10分预测

来源:http://www.btxygg.com 作者:广东快乐10分预测 时间:2019-11-21 02:46

【据科学时报近日消息】 最近,由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器取得重大突破,首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破,标志着我国氮化镓基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

12月14日,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。GaN基紫外激光器技术难度很大,目前国际上仅有日本的日亚公司等极少数单位有产品或研究报道。紫外激光器的研制成功也是我国在GaN基蓝光和绿光激光器突破之后取得的又一重要进展。

2014年诺贝尔物理学奖获得者

2007年2月,科研人员在低温环境下观测到了GaN蓝光激光器的连续激射。本着严谨、务实的科学精神,科研人员又在激光器腔面解理和镀膜、激光器热沉设计和制作、激光器倒装以及激光器测试手段的完善和提高等方面做了大量细致入微的工作,2007年4月30日,GaN蓝光激光器终于在半导体所科研人员的辛勤培育下绽放出绮丽的蓝色笑靥,发射出了中国大陆上第一束连续的、稳定的蓝色光束。(来源:中国科技信息网)

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天野浩教授

氮化镓基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点,在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值,多年来一直备受各个国家关注。2002年半导体所杨辉研究员和陈良惠院士领导的研究团队承担了国家“863”重大项目“氮化镓基激光器”,开始了对GaN蓝光激光器的攻关研发。经过两年多的努力,该所于2004年11月16日首次实现了在蓝宝石衬底上GaN蓝光激光器的脉冲激射。这引起了业界人士和相关部门领导极大关注,并得到国家“863”项目连续支持和中科院知识创新工程重要方向性支持。

该工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、科学挑战计划、中科院百人计划等多个项目的支持。

蓝光发光管的发明及其发展前景

赵德刚带领的团队长期致力于GaN基光电子材料和器件研究,对材料生长机理、材料物理和器件物理有自己的理解和认识,发现和解决了一系列激光器的关键问题:掌握了InGaN量子阱局域态调控和缺陷抑制方法,提高了发光效率;阐明了碳杂质的补偿机制,获得了高质量的p-GaN材料;设计出优化的器件结构,减小了吸收损耗和电子泄漏;利用变程跳跃的物理机制,实现了良好的p-GaN欧姆接触;解决了同质外延中衬底翘曲的难题,采用MOCVD生长出高质量的器件结构。在此基础上,与中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所进行工艺合作,最终实现了GaN紫外激光器的室温电注入激射。条宽为10 μm、腔长为600 μm的激光器阈值电流密度为1.6-2.0 kA/cm2,激射波长为392-395 nm,连续激射输出光功率可达80 mW。图1为紫外激光器的激射光谱,图2为P-I曲线,图3为紫外激光器激射时照到复印纸上形成的蓝色荧光光斑(紫外光人眼看不见,紫外激光照到复印纸上会发出蓝色荧光)。

中村修二教授

图2 GaN基紫外激光器的P-I曲线

演讲人:

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演讲题目二:

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图1 GaN基紫外激光器激射光谱

The Invention of Blue LED, Laser and Solid State Light

图3 紫外激光器激射时照到复印纸上形成的蓝色荧光光斑

天野浩教授1960年9月在日本滨松出生,分别于1983、1985和1989年在名古屋大学获得本科、硕士和博士学位。1992年任日本名城大学助理教授、1998年晋升为副教授,2002年任教授;2010年受邀任古屋大学教授。自1982年作为一个本科学生加入赤崎勇教授研究室起,一直致力于III族氮化物半导体材料生长和器件制作研究。1985年提出利用低温缓冲层方法实现了氮化物材料在蓝宝石衬底上的异质外延, 1989年首次实现了p型氮化镓并制作出首个GaN基pn结,为蓝光LED的实用化奠定了基础。

天野浩(Hiroshi Amano)

时间:2015年8月31日 14:00-16:00

演讲人:

 

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2014年诺贝尔物理学奖获得者

个人简介:

蓝光发光管、激光器及半导体照明的发明历程

中村修二(Shuji Nakamura)

地点:北京大学英杰交流中心 阳光厅

Invention of Blue LEDs and Future Prospects

中村修二教授1977年毕业于德岛大学工学部电气工程科,1979年获得德岛大学工学硕士学位,同年进入日亚化学工业公司。1993年,他利用两步生长法实现了高质量GaN并利用原位退火实现了高效p型掺杂,使蓝色发光二极管得到真正的实用化。1995年,首次实现InGaN/GaN蓝色激光二极管的室温下脉冲激射。2000年受加州大学圣芭芭拉分校校长杨祖佑的强力邀请,出任材料工学院教授。2002年担任信州大学客座教授,2006年担任爱媛大学客座教授。2007年1月,宣布发明世界第一个非极性蓝紫色激光二极管。

演讲题目一:

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关键词: 首次 室温 氮化 激光器

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